特征
●单电源运行
●轨对轨输出(3mV以内)
●微功率:IQ=20μA/放大器
●微型包装
●低偏移电压:最大125μV
●规定为VS=2.3V至5.5V
●单、双和四个版本
应用
●电池供电仪表
●便携式设备
●高阻抗应用
●光电二极管前置放大器
●精密积分器
●医疗器械
●试验设备
说明
OPA336系列微功耗CMOS运算放大器是为电池供电的应用而设计的。它们在一个低至2.1V的电源上工作,输出为轨对轨,在100kΩ负载下,电压在3mV以内。共模范围扩展到负电源理想的单电源应用。单、双和四个版本具有相同的规格,以实现最大的设计灵活性。
除了体积小、静态电流低(20μA/放大器)外,它们还具有低偏移电压(最大125μV)、低输入偏置电流(1pA)和高开环增益(115dB)。双路和四路设计的特点是完全独立的电路,以降低串扰和避免相互作用。
OPA336封装是微型SOT23-5表面贴装和SO-8表面贴装。OPA2336有微型MSOP-8表面安装、SO-8表面安装和DIP-8封装。OPA4336封装是节省空间的SSOP-16表面安装。所有规定温度范围为-40°C至+85°C,工作温度为-55°C至+125°C。
引脚说明
典型特征
除非另有说明,否则在TA=+25°C,VS=+5V,RL=25kΩ时连接至VS/2。
应用程序信息
OPA336系列运算放大器采用最先进的0.6微米CMOS工艺制造。它们具有单位增益稳定,适用于广泛的通用应用。应使用0.01μF陶瓷电容器绕过电源引脚。OPA336系列运算放大器可防止蓄电池电压反向变化。
工作电压
OPA336系列运算放大器可在+2.1V至+5.5V的单电源供电下工作,性能优异。在整个工作电压范围内,大多数特性保持不变。典型特性中显示了随工作电压显著变化的参数。OPA336系列运算放大器完全适用于+2.3V至+5.5V的工作环境;单一限制适用于电源范围。此外,许多参数在规定的温度范围内,即-40°C至+85°C。
输入电压
OPA336系列运算放大器的输入共模范围从(V-)-0.2V到(V+)-1V。对于正常工作,输入应限制在该范围内。绝对最大输入电压超过电源300毫伏。因此,大于输入共模范围但小于最大输入电压的输入虽然无效,但不会对运算放大器造成任何损坏。此外,与其他运算放大器不同的是,输入可能会超出电源而没有相位反转,如图1所示。
正常情况下,输入偏置电流约为1pA。但是,输入电压超过电源会导致过多的电流流入或流出输入引脚。只要输入引脚上的电流限制在10mA以内,就可以容忍大于电源的瞬时电压。这很容易用一个输入电阻来实现,如图2所示。
容性负载与稳定性
OPA336系列运算放大器可以驱动各种电容性负载。然而,在某些条件下,所有运算放大器都可能变得不稳定。运算放大器的配置、增益和负载值只是确定稳定性时要考虑的几个因素。
正确配置后,OPA336系列运算放大器可驱动约10000 pF。单位增益结构的运算放大器最容易受到电容性负载的影响。电容性负载与运算放大器的输出电阻以及任何附加负载电阻发生反应,从而在响应中产生一个极点,从而降低相位裕度。在单位增益,OPA336系列运算放大器表现良好,纯电容负载高达约300pF。增加增益可以提高放大器驱动负载的能力。
在单位增益配置中改进电容负载驱动的一种方法是在反馈回路中插入一个50Ω到100Ω的电阻器,如图3所示。这减少了大电容性负载时的响铃,同时保持直流电准确度。例如,当RL=25kΩ时,OPA336系列运算放大器在电容性负载超过1000pF时表现良好,如图4所示。在没有RS的情况下,电容负载驱动通常为350pF,如图5所示。
或者,电阻器可以与反馈回路外部的输出串联。然而,如果有一个电阻负载与电容性负载并联,它和串联电阻会产生一个分压器。这会在输出端引入直流(DC)误差;但是,此误差可能不重要。例如,在RL=100kΩ和RS=100Ω的情况下,输出只有大约0.1%的误差。
图5显示了OPA336的推荐操作区域。降低负载电阻通常改善电容式负载驱动。图5还说明了稳定性如何随电阻负载的连接位置而不同。当G=+1和RL=10kΩ连接到VS/2时,OPA336通常可以驱动500pF。将相同的负载接地,可将电容负载驱动提高到1000pF。
安芯科创是一家国内芯片代理和国外品牌分销的综合服务商,公司提供芯片ic选型、蓝牙WIFI模组、进口芯片替换国产降成本等解决方案,可承接项目开发,以及元器件一站式采购服务,类型有运放芯片、电源芯片、MO芯片、蓝牙芯片、MCU芯片、二极管、三极管、电阻、电容、连接器、电感、继电器、晶振、蓝牙模组、WI模组及各类模组等电子元器件销售。(关于元器件价格请咨询在线客服黄经理:15382911663)
代理分销品牌有:ADI_亚德诺半导体/ALTBRA_阿尔特拉/BARROT_百瑞互联/BORN_伯恩半导体/BROADCHIP_广芯电子/COREBAI_芯佰微/DK_东科半导体/HDSC_华大半导体/holychip_芯圣/HUATECH_华泰/INFINEON_英飞凌/INTEL_英特尔/ISSI/LATTICE_莱迪思/maplesemi_美浦森/MICROCHIP_微芯/MS_瑞盟/NATION_国民技术/NEXPERIA_安世半导体/NXP_恩智浦/Panasonic_松下电器/RENESAS_瑞莎/SAMSUNG_三星/ST_意法半导体/TD_TECHCODE美国泰德半导体/TI_德州仪器/VISHAY_威世/XILINX_赛灵思/芯唐微电子等等
免责声明:部分图文来源网络,文章内容仅供参考,不构成投资建议,若内容有误或涉及侵权可联系删除。
Copyright © 2002-2023 深圳市安芯科创科技有限公司 版权所有 备案号:粤ICP备2023092210号-1