您现在所在位置: 主页 > 新闻中心 > 元器件百科

LM2937 500 mA低压差调节器

发布日期:2024-01-31 09:46 浏览次数:

功能描述

LM2937是一个正电压调节器,能够完全规定在−40°C下运行提供高达500毫安的负载电流。使用+125°CPNP功率晶体管提供一个低压差电压输出电流超过500 mA特性。负载电流为500毫安时在所有要求的最小输入-输出电压差下,输出微调为5%公差输出保持调节的工作条件通常为0.5V(在整个工作过程中,确保1V的最大值在全额定温度范围内,典型的0.5V电压跌落)。负载电流采用特殊电路,使静态电流最小这种电容器的ESR仍然是一个关键的设计镜像插入保护参数,但LM2937包括特殊放松ESR的补偿电路要求。LM2937对所有ESR都是稳定的低于3Ω。这允许使用低ESR芯片电容器。

LM2937是汽车应用的理想选择

并保护自身不受任何反向负载的影响

电池连接,两次电池跳跃,最多

+60V/-50V负载卸载瞬态。熟悉的调节器

短路和热关机等特性

保护也是内置的。

宽输出电容器ESR范围,高达3Ω,通常只有10 mA,负载电流为500 mA

输入输出电压差较大时,内部短路和热过载

保护电压大于3V。

反向电池保护LM2937需要一个输出旁路电容器

60V输入瞬态保护稳定性。与大多数低压差调节器一样

(1) 绝对最大额定值表示设备可能发生损坏的极限值。电气规格不适用于在额定工作条件外操作设备。

(2) 如果需要军用/航空航天专用设备,请联系德克萨斯仪器销售办事处/经销商,以获得规范。

(3) 任何环境温度下的最大允许功耗为PMAX=(125−TA)/θJA,其中125是最大结工作温度,TA是环境温度,θJA是环境热阻的结。如果这种消散超过,模具温度将上升到125°C以上,电气规范不适用。如果模具温度高于150°C时,LM2937将进入热关机状态。对于LM2937,结到环境热阻θJA为65°C/W,对于TO-220包,DDPAK/TO-263包为73°C/W,SOT-223包为174°C/W。与散热器一起使用时,θJA为LM2937结-壳间热阻θJC为3°C/W和散热器外壳-环境热阻之和。如果使用DDPAK/TO-263或SOT-223封装,可通过增加P.C.板铜面积来降低热阻热连接到封装(有关散热的更多信息,请参阅应用程序提示)。

(4) ESD额定值基于人体模型,通过1.5 kΩ放电100 pF。

(1) 绝对最大额定值表示设备可能发生损坏的极限值。电气规格不适用于在额定工作条件外操作设备。

(2) 任何环境温度下的最大允许功耗为PMAX=(125−TA)/θJA,其中125是最大结工作温度,TA是环境温度,θJA是环境热阻的结。如果这种消散超过,模具温度将上升到125°C以上,电气规范不适用。如果模具温度高于150°C时,LM2937将进入热关机状态。对于LM2937,结到环境热阻θJA为65°C/W,对于TO-220包,DDPAK/TO-263包为73°C/W,SOT-223包为174°C/W。与散热器一起使用时,θJA为LM2937结-壳间热阻θJC为3°C/W和散热器外壳-环境热阻之和。如果使用DDPAK/TO-263或SOT-223封装,可通过增加P.C.板铜面积来降低热阻热连接到封装(有关散热的更多信息,请参阅应用程序提示)。

电气特性

对于TO-220和DDPAK/TO-263封装,VIN=VNOM+5V(1)IOUTmax=500 mA,对于SOT-223封装,IOUTmax=400mA,COUT=10μF,除非另有说明。粗体限制适用于所示装置,所有其他规格均适用于TA=TJ=25°C。

(1) 典型值为TJ=25°C,代表最有可能的参数规范。

电气特性

对于TO-220和DDPAK/TO-263封装,VIN=VNOM+5V(1)IOUTmax=500 mA,对于SOT-223封装,IOUTmax=400mA,COUT=10μF,除非另有说明。粗体限制适用于指示装置,所有其他规格均适用于TA=TJ=25°C

(1) 典型值为TJ=25°C,代表最有可能的参数规范。

(1) 任何环境温度下的最大允许功耗为PMAX=(125−TA)/θJA,其中125是最大结工作温度,TA是环境温度,θJA是环境热阻的结。如果这种消散超过,模具温度将上升到125°C以上,电气规范不适用。如果模具温度高于150°C时,LM2937将进入热关机状态。对于LM2937,结到环境热阻θJA为65°C/W,对于TO-220包,DDPAK/TO-263包为73°C/W,SOT-223包为174°C/W。与散热器一起使用时,θJA为LM2937结-壳间热阻θJC为3°C/W和散热器外壳-环境热阻之和。如果使用DDPAK/TO-263或SOT-223封装,可通过增加P.C.板铜面积来降低热阻热连接到封装(有关散热的更多信息,请参阅应用程序提示)。

1.如果调节器距离电源滤波器电容器超过3英寸,则需要。

2.稳定性要求。Cout必须至少为10μF(在整个预期工作温度范围内)并位于尽可能靠近调节器。该电容器的等效串联电阻ESR可高达3Ω。

外部电容器

输出电容器对于保持调节器的稳定性至关重要,并且必须满足两者的要求条件ESR(等效串联电阻)和最小电容量。

最小电容:保持稳定所需的最小输出电容为10μF(该值可在无需限制)。输出电容值越大,瞬态响应越好。

ESR限值:

输出电容的ESR过高或过低都会导致回路不稳定。可接受范围ESR与负载电流的关系如下图所示。输出电容器必须满足可能会导致这些要求或振荡。

值得注意的是,对于大多数电容器,ESR仅在室温下规定。但是,设计师必须确保ESR在整个工作温度范围内保持在所示的限值内设计。对于铝电解电容器,当温度从25°C降低到−40°C。这种电容器不适合低温运行。固体钽电容器在高温下具有更稳定的ESR,但比铝更昂贵电解学。有时使用的一种经济有效的方法是将铝电解与固体并联钽,总电容分裂约75/25%,铝为较大值钽可以防止有效ESR在低温下迅速上升。

散热

根据最大功耗和最高环境温度应用程序。在所有可能的操作条件下,结温必须在范围内在绝对最大额定值下指定。要确定是否需要散热器,必须计算调节器消耗的功率PD。下图显示了电路中存在的电压和电流,以及计算调节器中消耗的功率:

下一个必须计算的参数是最大允许温升TR(max)。这是使用以下公式计算:TR(最大值)=TJ(最大值)−TA(最大值)

(max)是最大允许结温,对于商用级零件,为125°C

TA(max)是应用(1)中遇到的最高环境温度使用TR(max)和PD的计算值,连接到环境的最大允许值热阻θ(J−A)现在可以得到:θ(J−A)=TR(最大)/PD(2)

重要事项:如果发现to-220包装的θ(J−A)的最大允许值≥53°C/W,≥DDPAK/TO-263封装为80°C/W,SOT-223封装为≥174°C/W,因为光是包装就能散发出足够的热量来满足这些要求。如果θ(J−A)的计算值低于这些限值,则需要散热器。

散热TO-220包装件

TO-220可以连接到一个典型的散热器上,或者固定在PC板上的铜板上。如果是铜制飞机使用时,θ(J−A)的值将与DDPAK/to-263的下一节所示相同。如果要选择制造的散热片,散热片对环境热阻的值θ(H−a)必须首先计算:θ(H−A)=θ(J−A)−θ(C−H)−θ(J−C)

θ(J−C)定义为从接头到外壳表面的热阻。3°C/W的值可以是假设θ(J−C)用于本计算

θ(C−H)定义为外壳和散热器表面之间的热阻。价值

θ(C−H)在约1.5°C/W到约2.5°C/W之间变化(取决于连接方法、绝缘体等)。如果确切值未知,应假设θ(C−H)(3)为2°C/W当使用所示方程式找到θ(H−a)的值时,必须选择具有以下值的散热器:小于或等于这个数字。θ(H−A)由散热器制造商在目录中以数字形式指定,或以曲线表示散热片的温升与功耗。散热DDPAK/TO-263和SOT-223封装部件DDPAK/TO-263(“S”)和SOT-223(“MP”)封装都在PCB和PCB本身上使用铜平面作为散热片。为了优化平面和PCB的散热能力,将封装的凸耳焊接到飞机。图26显示了对于DDPAK/TO-263,使用A典型的PCB,铜含量为1盎司,用于散热的铜区域无焊锡掩模。

如图所示,将铜面积增加到1平方英寸以上,几乎没有什么改善。它还应注意,安装在PCB上的DDPAK/TO-263包的θ(J−A)的最小值为32°C/W。作为设计辅助,图27显示了与环境温度相比的最大允许功耗对于DDPAK/TO-263装置(假设θ(J−A)为35°C/W,最大结温为125°C)。

SOT-223焊接建议

不建议使用手工焊接或波峰焊接将小型SOT-223包装连接到印刷品上电路板。温度过高可能导致包装破裂。气相或红外回流焊技术是SOT-223的首选焊接连接方法包裹。



  安芯科创是一家国内芯片代理和国外品牌分销的综合服务商,公司提供芯片ic选型、蓝牙WIFI模组、进口芯片替换国产降成本等解决方案,可承接项目开发,以及元器件一站式采购服务,类型有运放芯片、电源芯片、MO芯片、蓝牙芯片、MCU芯片、二极管、三极管、电阻、电容、连接器、电感、继电器、晶振、蓝牙模组、WI模组及各类模组等电子元器件销售。(关于元器件价格请咨询在线客服黄经理:15382911663

  代理分销品牌有:ADI_亚德诺半导体/ALTBRA_阿尔特拉/BARROT_百瑞互联/BORN_伯恩半导体/BROADCHIP_广芯电子/COREBAI_芯佰微/DK_东科半导体/HDSC_华大半导体/holychip_芯圣/HUATECH_华泰/INFINEON_英飞凌/INTEL_英特尔/ISSI/LATTICE_莱迪思/maplesemi_美浦森/MICROCHIP_微芯/MS_瑞盟/NATION_国民技术/NEXPERIA_安世半导体/NXP_恩智浦/Panasonic_松下电器/RENESAS_瑞莎/SAMSUNG_三星/ST_意法半导体/TD_TECHCODE美国泰德半导体/TI_德州仪器/VISHAY_威世/XILINX_赛灵思/芯唐微电子等等


免责声明:部分图文来源网络,文章内容仅供参考,不构成投资建议,若内容有误或涉及侵权可联系删除。

15382911663