OPA369、OPA2369是1.8V，700nA，Zerø交叉轨对轨输入/输出运算放大器

特征

•纳米电力：

–OPA369:800毫安

–OPA2369:700nA/通道。

•低偏移电压：250μV

–零交叉

•低偏移漂移：0.4μV/°C

•直流精度：

–共模抑制比：114dB

– 电源抑制比：106dB

–AOL:134dB

•增益带宽乘积：12kHz

•电源电压：1.8V至5.5V

•微型包装：

–SC70-5、SOT23-5、MSOP-8

应用

•电池供电仪器

•便携式设备

•医疗器械

•测试设备

•低功耗传感器信号调节

说明

OPA369和OPA2369是来自德州仪器公司的超低功耗、低电压运算放大器，专为电池供电的应用而设计。

OPAx369的供电电压低至1.8V，具有真正的轨对轨运行，使其适用于广泛的应用。<3V的输入-轨交叉特性解决了输入-轨道交叉的问题。

除了微型封装和极低的静态电流外，OPAx369还具有12kHz带宽、低偏移漂移（最大1.75μV/°C）和低噪声3.6μVPP（0.1Hz至10Hz）。

OPA369（单一版本）采用SC70-5软件包提供。OPA2369（双版本）同时提供MSOP-8和SOT23-8包。

引脚配置

典型特征

除非另有说明，否则在TA=+25°C，VS=5V，RL=100kΩ时连接至VS/2。

申请信息

在普通工作模式下，功率抑制比（AOL-9dB）和功率抑制比（AOL-9dB）为低的工作模式。

在设计超低功耗时，请仔细选择系统组件。为了减少电流消耗，选择大值电阻。任何电阻都会与电路中的杂散电容和操作的输入电容发生反应放大器。这些寄生RC组合会影响整个系统的稳定性。可能需要一个反馈电容器来保证稳定性和限制过冲或增益峰值。

良好的布局规范要求使用0.1μF的旁路电容器，该电容器应紧靠电源引脚放置。

工作电压

OPA369系列运算放大器在+1.8V至+5.5V（±0.9V至±2.75V）范围内进行了全面规定和测试。典型特性曲线显示了随电源电压变化显著的参数。

输入共模电压范围

OPA369系列设计用于消除大多数轨对轨互补级运算放大器中通常存在的输入偏移过渡区，这使得OPA369系列放大器能够在整个输入范围内提供优异的共模性能。

OPA369系列的输入共模电压范围通常延伸到每个电源轨道.CMRR从负轨指定到正轨。见图4，标准化偏移电压与共模电压。

过电压保护输入

输入电流通常为10pA。但是，大输入（电源轨外大于500mV）会导致过多电流流入或流出输入引脚。因此，除了保持电源轨之间的输入电压外，将输入电流限制在10mA以下也很重要。这个限制很容易用一个输入电阻来实现，如图24所示。

电池监测

OPA369系列的低工作电压和静态电流使其成为电池监测应用的最佳选择，如图25所示。在这个电路中，只要电池电压保持在2V以上，V状态就很高。低功耗基准用于设置触发点。电阻值的选择如下：

1、 选择RF：选择RF，使通过RF的电流大约比温度下的最大偏置电流大1000倍：

2、 选择磁滞电压VHYST。对于电池监测应用，50mV就足够了。

3、 计算R1如下：

4、 为车辆识别号（VIN）上升选择一个阈值电压（VTHRS）=2.0伏

5、 计算R2如下：

6、 计算RBIAS：该电路的最小电源电压为1.8V。REF1112的电流要求为1.2μa（最大）。为REF1112提供2μA的电源电流可确保正常工作。因此：

窗口比较器

图26显示了用作窗口比较器的OPA2369。阈值由VH和VL设置，VH>VL。当VIN<VH时，A1输出低。当VIN>VL时，A2的输出为低。所以，只要VIN在VH和VL之间，两个运算放大器的输出都是0V。这种结构的结果是没有电流流过任何一个二极管，Q1切断，基极电压为0V，并且VOUT强制高。

如果VIN低于VL，A2的输出高，电流流过D2，VOUT低。同样地，如果VIN升高到VH以上，A1的输出很高，电流流过D1，VOUT低。窗口比较器阈值电压设置如下：

注：

（1） 齐纳额定运放电源能力（即，5.1V的OPA369）。

（2） 限流电阻器。

（3） 选择齐纳偏置电阻器或双NMOSFETs（FDG6301N、NTJD4001N或Si1034）。

　　安芯科创是一家国内芯片代理和国外品牌分销的综合服务商,公司提供芯片ic选型、蓝牙WIFI模组、进口芯片替换国产降成本等解决方案,可承接项目开发,以及元器件一站式采购服务,类型有运放芯片、电源芯片、MO芯片、蓝牙芯片、MCU芯片、二极管、三极管、电阻、电容、连接器、电感、继电器、晶振、蓝牙模组、WI模组及各类模组等电子元器件销售。（关于元器件价格请咨询在线客服黄经理：15382911663）

　　代理分销品牌有：ADI_亚德诺半导体/ALTBRA_阿尔特拉/BARROT_百瑞互联/BORN_伯恩半导体/BROADCHIP_广芯电子/COREBAI_芯佰微/DK_东科半导体/HDSC_华大半导体/holychip_芯圣/HUATECH_华泰/INFINEON_英飞凌/INTEL_英特尔/ISSI/LATTICE_莱迪思/maplesemi_美浦森/MICROCHIP_微芯/MS_瑞盟/NATION_国民技术/NEXPERIA_安世半导体/NXP_恩智浦/Panasonic_松下电器/RENESAS_瑞莎/SAMSUNG_三星/ST_意法半导体/TD_TECHCODE美国泰德半导体/TI_德州仪器/VISHAY_威世/XILINX_赛灵思/芯唐微电子等等

免责声明：部分图文来源网络，文章内容仅供参考，不构成投资建议，若内容有误或涉及侵权可联系删除。