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FDV301N具有低电压控制和快速开关速度等特点

发布日期:2024-01-22 09:18 浏览次数:

FDV301N是一种低电压MOSFET,具有低电压控制和快速开关速度。因此,它适用于很多场合,如:

电源管理:FDV301N可用于电源管理电路中,用于开关电源输出等,具有低电压控制和快速开关速度的优点,可提高电源管理的效率和可靠性。

DC-DC变换器:FDV301N可用于DC-DC变换器中,用于转换电源输出电压,提高电源效率和可靠性。

信号开关:FDV301N可用于信号开关电路中,用于开关信号线路,具有快速开关速度和低电压控制的优点。

模拟开关:FDV301N可用于模拟开关电路中,用于开关模拟信号线路,具有低电压控制和快速开关速度的特点,可提高模拟信号线路的精度。

电路保护:FDV301N可用于电路保护电路中,用于开关电路保护元件,具有快速开关速度和低电压控制的优点,可保护电路元件不受损坏。

参数:

静态参数:最大漏电流为1uA,最大漏电流温度系数为5mA/℃。

动态参数:最大耗散功率为0.2W,最大漏极电容为15pF,最大截止频率为1.5GHz,最大开关速度为12ns。

电气特性:最大漏极-源极电压为20V,最大门极-源极电压为8V。

封装形式:SOT-23封装。

总之,FDV301N具有很多应用场合,可以用于电源管理、DC-DC变换器、信号开关、模拟开关、电路保护等领域,具有低电压控制和快速开关速度的特点,可提高电路的效率和可靠性。


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