什么是双极性晶体管，双极性晶体管的结构、分类及基本原理

双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor，缩写为BJT）是一种半导体器件，是目前应用最为广泛的电子器件之一。它是由三个区域组成的，分别是P型区、N型区和P型区，简称PNP型晶体管或NPN型晶体管。BJT可以充当电流放大器、开关、BAS21振荡器等角色，被广泛应用于电子电路中。

BJT的组成结构

BJT由三个区域组成，分别是P型区、N型区和P型区（PNP型晶体管）或者N型区、P型区和N型区（NPN型晶体管）。P型区和N型区之间的结面称为PN结，PN结的两端分别连接P型区和N型区。PN结的结面上有一个势垒，当PN结处于正向偏置状态时，势垒变小，电子和空穴可以流动；当PN结处于反向偏置状态时，势垒变大，电子和空穴不能流动。

BJT的分类

BJT可以分为PNP型晶体管和NPN型晶体管两种类型。其中，PNP型晶体管的P型区是基极，N型区是发射极，P型区是集电极；NPN型晶体管的N型区是基极，P型区是发射极，N型区是集电极。

BJT的基本原理

BJT的基本原理是电流控制。在PNP型晶体管中，当集电极为正电压，基极为负电压，发射极为负电压时，PNP型晶体管处于截止状态，没有电流通过；当集电极为正电压，基极为负电压，发射极为正电压时，PNP型晶体管处于放大状态，有电流通过。

在NPN型晶体管中，当集电极为负电压，基极为正电压，发射极为正电压时，NPN型晶体管处于截止状态，没有电流通过；当集电极为正电压，基极为正电压，发射极为负电压时，NPN型晶体管处于放大状态，有电流通过。

BJT的技术要点

BJT的技术要点包括电流放大倍数、输入电阻、输出电阻、最大承受电压、最大承受电流和最大工作温度等。

电流放大倍数是指输入电流和输出电流之比，通常用β表示。输入电阻是指输入端电压变化量与输入端电流变化量之比，通常用ρ表示。输出电阻是指输出端电压变化量与输出端电流变化量之比，通常用r表示。

最大承受电压是指BJT能够承受的最大反向电压或最大正向电压，通常用VCEO和VCBO表示。最大承受电流是指BJT能够承受的最大电流，通常用ICmax表示。最大工作温度是指BJT能够正常工作的最高温度，通常用Tjmax表示。

BJT的设计流程

BJT的设计流程包括电路分析、选型、电路设计、电路测试等步骤。

电路分析是指对电路进行分析，了解电路的性质和特点。选型是指根据电路要求选择合适的BJT型号。电路设计是指根据电路要求设计出满足要求的电路。电路测试是指对设计出的电路进行测试，验证电路的性能和特点。

BJT的注意事项

BJT在使用时需要注意以下几点：

1、避免超过最大承受电压和最大承受电流。

2、避免温度过高，超过最大工作温度。

3、避免过度偏置，以免影响BJT的工作。

4、要注意BJT的引脚连接，保证正常工作。

BJT的发展历程

BJT是由美国贝尔实验室的William Shockley、John Bardeen和Walter Brattain于1947年发明的。它是第一种半导体器件，标志着半导体器件技术的诞生。随着技术的不断发展，BJT的工艺和性能得到了不断改进，逐步发展成为现代电子器件中应用最广泛的一种器件之一。

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