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SQD50N10-8M9L-GE3/VISHAY/威世/MOS

发布日期:2023-08-24 10:51 浏览次数:

SQD50N10-8M9L-GE3/VISHAY/威世/MOS

       制造商:Vishay

  产品种类:MOSFET

  安装风格:SMD/SMT

  封装 / 箱体:TO-252-3

  晶体管极性:N-Channel

  通道数量:1 Channel

  Vds-漏源极击穿电压:100 V

  Id-连续漏极电流:50 A

  Rds On-漏源导通电阻:8.9 mOhms

  Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V

  Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

  Qg-栅极电荷:46 nC

  最小工作温度:- 55 C

  最大工作温度:+ 175 C

  Pd-功率耗散:136 W

  系列:SQ

  封装:Reel

  封装:Cut Tape

  封装:MouseReel

  下降时间:120 ns

  正向跨导 - 最小值:67 S

  产品类型:MOSFET

  上升时间:12 ns

  工厂包装数量:2000

  子类别:MOSFETs

  晶体管类型:1 N-Channel

  典型关闭延迟时间:95 ns

  典型接通延迟时间:12 ns

  单位重量:330 mg

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