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SIS412DN-T1-GE3/VISHAY/威世/MOS

发布日期:2023-08-24 10:49 浏览次数:

SIS412DN-T1-GE3/VISHAY/威世/MOS

  制造商:Vishay

  产品种类:MOSFET

  安装风格:SMD/SMT

  封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

  晶体管极性:N-Channel

  Vds-漏源极击穿电压:30 V

  Id-连续漏极电流:12 A

  Rds On-漏源导通电阻:24 mOhms

  Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 10 V

  Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

  Qg-栅极电荷:8 nC

  最小工作温度:- 55 C

  最大工作温度:+ 150 C

  Pd-功率耗散:10 W

  系列:SIS

  封装:Reel

  封装:Cut Tape

  封装:MouseReel

  下降时间:10 ns

  正向跨导 - 最小值:17 S

  产品类型:MOSFET

  上升时间:10 ns, 12 ns

  工厂包装数量:3000

  子类别:MOSFETs

  晶体管类型:1 N-Channel

  典型关闭延迟时间:13 ns, 15 ns

  典型接通延迟时间:5 ns, 15 ns

  单位重量:1 g

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