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SI3440ADV-T1-GE3/VISHAY

发布日期:2023-08-23 15:24 浏览次数:

SI3440ADV-T1-GE3_VISHAY_威世_MOS

  制造商:Vishay

  产品种类:MOSFET

  安装风格:SMD/SMT

  封装 / 箱体:TSOP-6

  晶体管极性:N-Channel

  通道数量:1 Channel

  Vds-漏源极击穿电压:150 V

  Id-连续漏极电流:2.2 A

  Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

  Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V

  Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

  Qg-栅极电荷:1.65 nC

  最小工作温度:- 55 C

  最大工作温度:+ 150 C

  Pd-功率耗散:3.6 W

  通道模式:Enhancement

  封装:Reel

  封装:Cut Tape

  封装:MouseReel

  商标:Vishay Semiconductors

  配置:Single

  下降时间:22 ns

  产品类型:MOSFET

  上升时间:22 ns

  工厂包装数量:3000

  典型关闭延迟时间:9 ns

  典型接通延迟时间:8 ns

  单位重量:20 mg

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